Samsung приступила к массовому производству памяти GDDR6

Samsung приступила к массовому производству первых в мире микросхем памяти типа GDDR6 емкостью 2 ГБ, которые предназначены для графических ускорителей следующего поколения и систем искусственного интеллекта.

Новые микросхемы изготавливаются по 10-нанометровому техпроцессу и характеризуются пропускной способность в 18 Гбит/с на контакт. Суммарная скорость достигает 72 ГБ/с, что более чем в два раза больше по сравнению с чипами GDDR5.

Память GDDR6 потребляет на 35% меньше энергии, поскольку работает при напряжении 1,35 В, тогда как для GDDR5 необходимо 1,55 В.

Новые флагманские видеокарты с памятью GDDR6 появятся же в этом году и смогут похвастаться скоростью передачи данных в 768 Гбайт/с при 384-битной шине. Помимо Samsung поставки новой DRAM обеспечат компании SK Hynix и Micron.