Графен позволит улучшить характеристики флеш-памяти

Специалисты Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) совместно с исследователями Samsung предлагают использовать графен при производстве флеш-памяти нового поколения. Современная методика изготовления флеш-памяти на основе кремния имеет ограничения: после перехода определенного порога миниатюризации стабильность чипов окажется недостаточно высокой. Графен, как отмечают ученые, теоретически обеспечивает больший потенциал в том, что касается уменьшения ячеек памяти, а значит, и более широкие возможности по увеличению плотности хранения информации. Кроме того, микросхемы памяти на основе графена будут характеризоваться меньшим энергопотреблением по сравнению с современными изделиями. Повысится и скорость передачи данных. Впрочем, полностью отказываться от кремния исследователи не намерены. Разрабатывающаяся ими технология предполагает совмещение этого материала с графеном для улучшения характеристик флеш-памяти. Специалисты UCLA и Samsung уже создали прототипы флеш-чипов нового поколения и теперь работают над уменьшением размеров их ячеек. Возможность коммерциализации предложенной методики обсуждается с компанией Micron.