Смартфоны будущего получат терабайт памяти

Москва, 25 июля. Технология, разработанная американскими специалистами, позволяет вместить на микросхеме размером с почтовую марку терабайт памяти. Это значительно расширит возможности смартфонов и планшетов, передают «Вести.Ru».

Технологию производства RRAM (резистивной памяти с произвольным доступом), позволяющую увеличить объем доступной оперативной памяти мобильных гаджетов в десятки и сотни раз, представили ученые из Ученые из Университета Райса в Техасе.

PRAM обладает более высокой плотностью, компактностью и более низким уровнем энергопотребления. Разработка американцев позволяет создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. В качестве основного диэлектрического материала используется пористый оксид кремния. Такие ячейки более надежны, не требуют расхода энергии для хранении информации и обеспечивают более высокую скорость записи/чтения данных - до 100 раз быстрее флеш-памяти.

На одной ячейке можно хранить до девяти бит данных. Один из созданных прототипов обеспечивает настолько высокую плотность хранения данных, что на микросхеме размером с почтовую марку можно уместить терабайт памяти.

В настоящее время производством RRAM занимаются несколько компаний - процесс дорогостоящий и сложный.