Samsung приступила к массовому производству модулей памяти DDR4 объемом 64 ГБ

Компания Samsung сообщила о начале массового производства модулей оперативной памяти DDR4 объемом 64 ГБ с плотностью микросхем NAND 16 гигабит. Новинки ориентированы в основном на применение в промышленных решениях и серверах. Первым примером сервера с новой памятью RDIMM Samsung стал HPE ProLiant DL385 Gen10 на базе процессором AMD EPYC 7000. В конфигурации с двумя CPU он может быть оснащен 2 ТБ оперативной памяти (32 слота, в каждый устанавливается по модулю объемом 64 ГБ).

В ассортименте HPE есть решение и попроще: HPE ProLiant DL325 Gen10, подходящий для средств виртуализации, сможет предложить 1 ТБ оперативной памяти.

Но в Samsung не намерены останавливаться на достигнутом. Компания уже готовитску к выпуску инженерных образцов модулей памяти объемом 256 ГБ, которые набраны чипами плотностью 16 Гбит. Использование таких моделей позволит увеличить объем ОЗУ серверов 2P до 8 ТБ. Появление таких модулей памяти ожидается к концу года.