Samsung готовится к массовому выпуску флеш-памяти класса TLC
12.04.2012 14:04
—
Новости Hi-Tech
Корейская Samsung Electronics готовится к массовому выпуску на рынок нового типа флеш-памяти, позволяющего устройствам из сферы потребительской электроники хранить еще больше данных в более компактных условиях.
Новые чипы NAND-памяти ориентированы на использование в смартфонах, планшетах и ультрабуках. Райен Смит, старший менеджер по маркетингу подразделения Samsung SSD, говорит, что речь идет о чипах класса TLC (triple-level cell), способных хранить до трех бит данных на одну физическую ячейку памяти.
До сих пор чипы флеш-памяти существовали в двух форматах - SLC (single-level cell) и MLC (multi-level cell), позволяющих хранить 1 или 2 бит данных на одну физическую ячейку памяти. Первые обладают максимальной скоростью работы и высокой надежностью хранения, поэтому ориентированы на серверы и работу с критически важными приложениями, тогда как MLC дешевле, предлагают более высокую плотность размещения данных, но не позволяют работать на таких же скоростях, как SLC.
Новые чипы TLC сейчас уже производятся, но их еще предстоит испытать в режиме повседневного использования, прежде чем выводить на рынок. Этим сейчас и занимаются производители, в частности Samsung. Смит говорит, что TLC принципиально работают точно также, как и два его предшественника - высоковольтные импульсы модифицируют положение затворов в ячейках памяти, обозначая логический ноль или логическую единицу, из последовательности нулей и единиц складываются байты, те переходят в килобайты и так далее.
Как уже было отмечено, TLC хранят до 3 бит на одну ячейку, что позволяет при равной с SLC и MLC площади хранить больше данных, снижая в конечном итоге стоимость чипа в пересчете на гигабайт хранимых данных. С другой стороны, сбой всего в одной ячейке памяти "губит" сразу три бита, поэтому цена логических ошибок в TLC-модулях выше. Кроме того, производительность тут является еще одним узким местом: получение нужного бита представляет собой процесс провода заряда через три "этажа", а не через два или один.
Новые чипы NAND-памяти ориентированы на использование в смартфонах, планшетах и ультрабуках. Райен Смит, старший менеджер по маркетингу подразделения Samsung SSD, говорит, что речь идет о чипах класса TLC (triple-level cell), способных хранить до трех бит данных на одну физическую ячейку памяти.
До сих пор чипы флеш-памяти существовали в двух форматах - SLC (single-level cell) и MLC (multi-level cell), позволяющих хранить 1 или 2 бит данных на одну физическую ячейку памяти. Первые обладают максимальной скоростью работы и высокой надежностью хранения, поэтому ориентированы на серверы и работу с критически важными приложениями, тогда как MLC дешевле, предлагают более высокую плотность размещения данных, но не позволяют работать на таких же скоростях, как SLC.
Новые чипы TLC сейчас уже производятся, но их еще предстоит испытать в режиме повседневного использования, прежде чем выводить на рынок. Этим сейчас и занимаются производители, в частности Samsung. Смит говорит, что TLC принципиально работают точно также, как и два его предшественника - высоковольтные импульсы модифицируют положение затворов в ячейках памяти, обозначая логический ноль или логическую единицу, из последовательности нулей и единиц складываются байты, те переходят в килобайты и так далее.
Как уже было отмечено, TLC хранят до 3 бит на одну ячейку, что позволяет при равной с SLC и MLC площади хранить больше данных, снижая в конечном итоге стоимость чипа в пересчете на гигабайт хранимых данных. С другой стороны, сбой всего в одной ячейке памяти "губит" сразу три бита, поэтому цена логических ошибок в TLC-модулях выше. Кроме того, производительность тут является еще одним узким местом: получение нужного бита представляет собой процесс провода заряда через три "этажа", а не через два или один.