НР удалось создать модуль памяти на мемристорах

Инженеры компании Hewlett-Packard говорят, что совершенствуют технологию памяти будущего поколения, использующую вместо традиционных сегодня транзисторов так называемые мемристоры. Предполагается, что именно они в будущем могут стать основой для NAND- и DRAM-памяти.

В статье, опубликованной в свежем номере журнала Nanotechnology, ученые говорят, что им удалось подробно изучить, что происходит в структуре мемристора, когда по нему проходит электрическое напряжение, то есть он включается.

В HP говорят, что изучение химических процессов внутри мемристоров - это важный шаг на пути коммерциализации технологии, а также реальная возможность еще больше повысить производительность мемристоров. По оценкам компании, первые коммерческие продукты на базе мемристоров могут появиться в течение 2013 года.

В публикации HP говорится, что компании удалось создать тестовый образец энергонезависимой памяти на 12 гигабайт, причем сам модуль занимал менее квадратного сантиметра и использовал 15-нанометровый технологический процесс с четырехслойной памятью.

Мемристорам требуется меньше энергии для работы, они быстрее современных твердотельных накопителей и могут сохранять информацию даже при выключенном питании. В начале прошлого года исследователи HP Labs сообщили об открытии, согласно которому мемристоры также могут совершать логические операции. Это позволяет полагать, что устройства, созданные на основе мемристоров, могут изменить сложившуюся парадигму обработки данных при помощи отдельного центрального процессора, позволив в будущем выполнять аналогичные операции прямо на чипах, хранящих информацию.