Intel перейдет на транзисторы с тремя затворами

Транзисторы 3-D Tri-Gate будут изготовляться по 22-нанометровому технологическому процессу. Они имеют не один, а три затвора. Такая структура, заявляет Intel, снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью перекрывает поток электронов в закрытом.