В NASA создали чипы, работающие при температуре 600 градусов Цельсия
21.09.2010 12:37
—
Новости Hi-Tech
Инженеры американского космического агентства НАСА разработали принципиально новые компьютерные чипы, способные функционировать при высоком давлении и температуре. По словам представителей ведомства, новинки способны функционировать при температуре в 600 градусов по Цельсию.
Созданы чипы на основе карбида кремния (SiC), что делает их более устойчивыми по сравнению с обычными кремниевыми разработками, которые не выдерживают температуру выше 350 градусов.
Также в НАСА говорят, что раньше огнеупорные чипы были способны работать при относительно высоких температурах, но не более пары часов, новые же разработки выдерживают до 1 700 часов при температуре 500-600 градусов, что в 100 раз больше, чем предыдущий рекорд.
С технической точки зрения, новинки могут послужить решением для использования в системах энергораспределения и управления питанием на кораблях, которые отправятся, например, на Венеру, где температура на поверхности планеты достигает 500 градусов, а давление превышает 100 атмосфер.
В НАСА также рассказали, что первые опыты на базе карбида кремния начали еще в 1993 году, а в 2000 году был создан первый компонент схем, способный передавать электрический ток при 600 градусах.
Созданы чипы на основе карбида кремния (SiC), что делает их более устойчивыми по сравнению с обычными кремниевыми разработками, которые не выдерживают температуру выше 350 градусов.
Также в НАСА говорят, что раньше огнеупорные чипы были способны работать при относительно высоких температурах, но не более пары часов, новые же разработки выдерживают до 1 700 часов при температуре 500-600 градусов, что в 100 раз больше, чем предыдущий рекорд.
С технической точки зрения, новинки могут послужить решением для использования в системах энергораспределения и управления питанием на кораблях, которые отправятся, например, на Венеру, где температура на поверхности планеты достигает 500 градусов, а давление превышает 100 атмосфер.
В НАСА также рассказали, что первые опыты на базе карбида кремния начали еще в 1993 году, а в 2000 году был создан первый компонент схем, способный передавать электрический ток при 600 градусах.