Samsung и Toshiba разработали сверхскоростные модули памяти NAND

Компании Samsung Electronics и Toshiba Corp сегодня анонсировали самые продвинутые и производительные на сегодня модули NAND-памяти, поддерживающие обмен данными со скоростью до 400 мегабит в секунду. Также новые модули поддерживают спецификации DDR 2.0.
 
В совместном заявлении компаний говорится, что новые модули памяти найдут применение в грядущем поколении потребительских электронных устройств, таких как фото– и видеокамеры, видеоплееры, ноутбуки и др. Сейчас обе компании работают над стандартизацией предложенных модулей памяти. Samsung и Toshiba сообщают, что их разработки гарантированно будут поддерживать новую NAND-память.