Покорить 11-нм техпроцесс Intel поможет иммерсионная литография

В конце прошлой недели, на мероприятии LithoVision 2010, Intel рассказала о планах развития литографической технологии. Коротко говоря, компания снова продлевает жизнь иммерсионной литографии и откладывает переход на использование излучения в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Источники с длиной волны 193 нм будут применяться при производстве с соблюдением норм 11 нм.
 
В настоящее время для производства 45-нанометровых логических микросхем Intel использует «сухие» 193-нанометровые сканеры. В 2009 году на предприятия поступило первое иммерсионное оборудование с длиной волны 193 нм (сканеры производства Nikon), которое позволяет выпускать 32-нанометровые чипы.

Ранее, Intel надеялась использовать EUV при переходе к нормам 22 нм, запланированном на 2011 год. Проблема заключается в том, что технология EUV не будет готова к сроку, когда должен начаться выпуск продукции по нормам 22 и даже 15 нм. По данным источника, ссылающегося на слова ведущего специалиста Intel по литографической технологии, компания рассчитывает использовать 193-нанометровую иммерсионную литографию на этапе, соответствующем нормам 22 нм. Более того, компания подтвердила, что может расширить применение указанной технологии и на нормы 15 нм, освоение которых намечено на 2013 год. Пока 193-нанометровая иммерсионная литография остается единственным претендентом на использование в серийном производстве с соблюдением норм 15 нм.

На шаге 15 нм начнется пилотное производство с применением EUV. Однако и на следующем шаге, 11 нм, Intel надеется продолжать использовать 193-нанометровую иммерсионную литографию, но уже одновременно с EUV.