Toshiba и SanDisk готовятся к выпуску 20-нм чипов памяти

Toshiba и SanDisk готовятся к выпуску 20-нм чипов памяти

Компании Toshiba и SanDisk сегодня объявили о том, что планируют начать массовое производство чипов NAND-памяти на базе технологий менее 30-нм во второй половине 2010 года. Тогда же партнеры намерены выпустить первые чипы памяти, созданные по 20-нанометровой технологии.

По словам представителей компаний, подобные разработки должны обладать емкостью, которая в 2-4 раза превышает показатели современных чипов памяти и SSD-накопителей.

Руководитель совместного предприятия Toshiba и SanDisk IM Flash 1. дополнительный бесплатный модуль к браузеру (плагин), разработанный компанией Macromedia, который дает возможность просматривать страницы и их элементы в формате flash (флэш). Данный формат позволяет отображать векторную графику, воспроизводить звук и т. д. Сайты, сделанные на основе flash, могут выглядеть очень красиво, но плохо индексируются поисковыми системами.

2. Вид энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Ячейка флэш-памяти прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаря успехам в миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивным находкам, позволяющим в одной ячейке флэш-памяти хранить несколько бит информации. В настоящее время является самым распространённым типом носителей данных. Technology, расположенного в префектуре Миэ в Японии, говорит, что в месяц они будут выпускать примерно по 200 000 кремниевых подложек для дальнейшего производства памяти.

Компания Toshiba недавно начала производство 32-нанометровой памяти, способной сохранять до 3 бит информации в каждую ячейку. В компании рассказывают, что изначально это производство планировалось наладить к концу 2009 года, однако Toshiba успевает сделать это раньше срока. Сейчас в компании говорят, что примерно 50% производственных мощностей будет отдано именно под создание данного типа памяти. сообщает cybersecurity.ru.

Отметим, что конкурирующий тандем из компаний Intel и Micron Technology намерен представить первую память, созданную по технологической норме менее 30 нанометров уже в конце этого года. Корейская Samsung Electronics также предпринимает шаги для обновления производства, так производитель сейчас занят модернизацией своего производства в США, где компания будет использовать 8-дюймовые подложки для чипов памяти. Toshiba сейчас применяет 12-дюймовые подложки.